RT1A050ZPTR

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Especificaciones

Número de pieza

RT1A050ZPTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RT1A050ZPTR.pdf
2.RT1A050ZPTR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSST
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

26 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

600mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

RT1A050ZPCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

34nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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Descripción: FIXED IND 1.2UH 25A 2 MOHM SMD

Fabricantes: TT Electronics

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20/05/2025

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