RP1L055SNTR

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Especificaciones

Número de pieza

RP1L055SNTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RP1L055SNTR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MPT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

49 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

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RP1A23D10

Descripción: SSR ZS PCB MT W/H.S. 230V 10A

Fabricantes: Carlo Gavazzi

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