RP1A090ZPTR

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Especificaciones

Número de pieza

RP1A090ZPTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RP1A090ZPTR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MPT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RP1A090ZPCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

59nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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RP1E075RPTR

Descripción: MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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