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RGW80TK65DGVC11

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Especificaciones

Número de pieza

RGW80TK65DGVC11
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RGW80TK65DGVC11.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A
Condición de prueba

400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

44ns/143ns
Cambio de Energía

760µJ (on), 720µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-3PFM
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

92ns
Potencia - Max

81W
Paquete / Cubierta

TO-3PFM, SC-93-3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
puerta de carga

110nC
Descripción detallada

IGBT Trench Field Stop 650V 39A 81W Through Hole TO-3PFM
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

160A
Corriente - colector (Ic) (Max)

39A

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Los siguientes son productos relacionados con "RGW80TK65DGVC11".

RGW00TK65GVC11

Descripción: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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