RGW00TK65DGVC11

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Especificaciones

Número de pieza

RGW00TK65DGVC11
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RGW00TK65DGVC11.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A
Condición de prueba

400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

52ns/180ns
Cambio de Energía

1.18mJ (on), 960µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-3PFM
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

95ns
Potencia - Max

89W
Paquete / Cubierta

TO-3PFM, SC-93-3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
puerta de carga

141nC
Descripción detallada

IGBT Trench Field Stop 650V 45A 89W Through Hole TO-3PFM
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

200A
Corriente - colector (Ic) (Max)

45A

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Los siguientes son productos relacionados con "RGW00TK65DGVC11".

RGW60TK65GVC11

Descripción: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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