RDX100N60FU6

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Especificaciones

Número de pieza

RDX100N60FU6
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RDX100N60FU6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FM
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

650 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

45W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RDX100N60FU6".

SI4831BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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