RCD100N20TL

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Especificaciones

Número de pieza

RCD100N20TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RCD100N20TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.25V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CPT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

182 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

850mW (Ta), 20W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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RCD041N25TL

Descripción: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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