RCD075N19TL

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Especificaciones

Número de pieza

RCD075N19TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RCD075N19TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CPT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

336 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

850mW (Ta), 20W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RCD075N19TLCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

190V
Descripción detallada

N-Channel 190V 7.5A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Tc)

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RCD075N20TL

Descripción: MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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