RB058L-60DDTE25

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Especificaciones

Número de pieza

RB058L-60DDTE25
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RB058L-60DDTE25.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

640mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

60V
Paquete del dispositivo

PMDS
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AC, SMA
Otros nombres

RB058L-60DDTE25TR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 60V 3A Surface Mount PMDS
Corriente - Fuga inversa a Vr

4µA @ 60V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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RB055LAM-40TFTR

Descripción: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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