DTC123JU3T106

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Especificaciones

Número de pieza

DTC123JU3T106
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DTC123JU3T106.pdf
Modelo ECAD
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased + Diode
Paquete del dispositivo

UMT3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

DTC123JU3T106CT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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