DTC123JEBTL

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Especificaciones

Número de pieza

DTC123JEBTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTC123JEBTL.pdf
2.DTC123JEBTL.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

EMT3F (SOT-416FL)
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

DTC123JEBTL-ND
DTC123JEBTLTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

DTC123

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Los siguientes son productos relacionados con "DTC123JEBTL".

DTC123JCAT116

Descripción: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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