BSM180D12P3C007

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Especificaciones

Número de pieza

BSM180D12P3C007
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

SIC POWER MODULE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.BSM180D12P3C007.pdf
2.BSM180D12P3C007.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.6V @ 50mA
Paquete del dispositivo

Module
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

880W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

Q9597863
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V (1.2kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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BSM200GA120DLCHOSA1

Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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