International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL65R190E6AUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPL65R190E6AUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 4VSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPL65R190E6AUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-VSON-4
Serie

CoolMOS™ E6
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 7.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

151W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-PowerTSFN
Otros nombres

SP001074938
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2A (4 Weeks)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1620pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

73nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20.2A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 8TSON

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