International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL60R650P6SATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPL60R650P6SATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPL60R650P6SATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-ThinPak (5x6)
Serie

CoolMOS™ P6
RDS (Max) @Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

56.8W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

IPL60R650P6SATMA1DKR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

557pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 4VSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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