1151922

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL60R299CPAUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPL60R299CPAUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPL60R299CPAUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 440µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-VSON-4
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

299 mOhm @ 6.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

96W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-PowerTSFN
Otros nombres

IPL60R299CP
IPL60R299CP-ND
IPL60R299CPAUMA1TR
IPL60R299CPTR-ND
SP000841896
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2A (4 Weeks)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 11.1A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.1A (Tc)

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IPL60R185CFD7AUMA1

Descripción: MOSFET N-CH 4VSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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