International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT260N10S5N019ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IAUT260N10S5N019ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET_(75V,120V(
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

RoHS
Especificaciones

IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 210µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™-5
Estado RoHS

RoHS Compliant
RDS (Max) @Id, Vgs

1.9 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Otros nombres

IAUT260N10S5N019
IAUT260N10S5N019ATMA1-ND
IAUT260N10S5N019ATMA1TR
IAUT260N10S5N019TR
IAUT260N10S5N019TR-ND
SP001676336
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11830pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

166nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

260A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IAUT260N10S5N019ATMA1".

BUK7616-55A,118

Descripción: MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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