International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT150N10S5N035ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IAUT150N10S5N035ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

100V 150A 3.5MOHM TOLL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

RoHS
Especificaciones

IAUT150N10S5N035ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 110µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™-5
Estado RoHS

RoHS Compliant
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

166W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Otros nombres

IAUT150N10S5N035
IAUT150N10S5N035ATMA1-ND
IAUT150N10S5N035ATMA1TR
IAUT150N10S5N035TR
IAUT150N10S5N035TR-ND
SP001416126
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6110pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

87nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 150A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

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IPI65R190CFDXKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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