International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT240N08S5N019ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IAUT240N08S5N019ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 8HSOF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IAUT240N08S5N019ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 160µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™-5
RDS (Max) @Id, Vgs

1.9 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

230W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Otros nombres

IAUT240N08S5N019
IAUT240N08S5N019ATMA1-ND
IAUT240N08S5N019ATMA1TR
SP001685094
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9264pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

130nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 240A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

240A (Tc)

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IPB60R600P6ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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