International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO203SPHXUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSO203SPHXUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSO203SPHXUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 100µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

P-DSO-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 8.9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

BSO203SP HDKR
BSO203SP HDKR-ND
BSO203SPHXUMA1DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

39nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount P-DSO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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BSO215C

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSO203SPHXUMA1

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