International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO201SPHXUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSO201SPHXUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSO201SPHXUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-DSO-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 14.9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

BSO201SP H
BSO201SP H-ND
BSO201SP HTR-ND
BSO201SPH
BSO201SPHXUMA1TR
SP000613828
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9600pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

88nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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BSO130P03SHXUMA1

Descripción: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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