BSO215C

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Especificaciones

Número de pieza

BSO215C
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

BSO215C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 10µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 3.7A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

BSO215CINTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

246pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.5nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.7A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A

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BSO220N03MDGXUMA1

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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