BSC046N02KS G

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Especificaciones

Número de pieza

BSC046N02KS G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC046N02KS G.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

4100pF @ 10V
Tensión - Desglose

PG-TDSON-8
VGS (th) (Max) @Id

4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (Max)

2.5V, 4.5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

OptiMOS™
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

19A (Ta), 80A (Tc)
Polarización

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC046N02KS G-ND
BSC046N02KS GTR
BSC046N02KSG
BSC046N02KSGAUMA1
SP000379666
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Número de pieza del fabricante

BSC046N02KS G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

27.6nC @ 4.5V
Tipo de IGBT

±12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.2V @ 110µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20V
relación de capacidades

2.8W (Ta), 48W (Tc)

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BSC0503NSIATMA1

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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