International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC047N08NS3GATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC047N08NS3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC047N08NS3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 125W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC047N08NS3 G
BSC047N08NS3 G-ND
BSC047N08NS3 GTR-ND
BSC047N08NS3G
BSC047N08NS3GATMA1TR
SP000436372
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

69nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 100A (Tc)

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BSC046N02KS G

Descripción: MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

Fabricantes: Infineon Technologies

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