BSC037N08NS5ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC037N08NS5ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC037N08NS5ATMA1.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

4200pF @ 40V
Tensión - Desglose

PG-TDSON-8
VGS (th) (Max) @Id

3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Max)

6V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

OptiMOS™
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

100A (Tc)
Polarización

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC037N08NS5ATMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Número de pieza del fabricante

BSC037N08NS5ATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

58nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.8V @ 72µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80V
relación de capacidades

2.5W (Ta), 114W (Tc)

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BSC042NE7NS3GATMA1

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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