IXTP3N120

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Especificaciones

Número de pieza

IXTP3N120
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTP3N120.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

200W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXTP3N120".

IXTP44N15T

Descripción: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220

Fabricantes: IXYS Corporation

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