ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R16800E-6TLI-TR

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Especificaciones

Número de pieza

IS43R16800E-6TLI-TR
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS43R16800E-6TLI-TR.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

12ns
Suministro de voltaje

2.3 V ~ 2.7 V
Tecnología

SDRAM - DDR
Paquete del dispositivo

66-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

128Mb (8M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

700ps

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IS43R16800E-6TL-TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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