MBRT20030R

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Especificaciones

Número de pieza

MBRT20030R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MBRT20030R.pdf
2.MBRT20030R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Schottky
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1 Pair Common Anode
Tensión - Desglose

Three Tower
Velocidad

200A (DC)
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Polarización

Three Tower
Otros nombres

MBRT20030RGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Número de pieza del fabricante

MBRT20030R
Descripción ampliada

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
configuración de diodo

1mA @ 20V
Descripción

DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr

750mV @ 100A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

30V

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MBRT200200R

Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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