MBRT200150R

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Especificaciones

Número de pieza

MBRT200150R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRT200150R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Schottky
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1 Pair Common Anode
Tensión - Desglose

Three Tower
Velocidad

100A
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Polarización

Three Tower
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Número de pieza del fabricante

MBRT200150R
Descripción ampliada

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 100A Chassis Mount Three Tower
configuración de diodo

1mA @ 150V
Descripción

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
Corriente - Fuga inversa a Vr

880mV @ 100A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

150V
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 150°C

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MBRT200200

Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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