FDN359BN

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Especificaciones

Número de pieza

FDN359BN
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDN359BN.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

650pF @ 15V
Tensión - Desglose

SuperSOT-3
VGS (th) (Max) @Id

46 mOhm @ 2.7A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

2.7A (Ta)
Polarización

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

FDN359BNFSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

FDN359BN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7nC @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30V
relación de capacidades

500mW (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "FDN359BN".

FDN339AN_G

Descripción: MOSFET N-CH

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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