FDN352AP

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Especificaciones

Número de pieza

FDN352AP
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FDN352AP.pdf
2.FDN352AP.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SuperSOT-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 1.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

FDN352APDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

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FDN338P_G

Descripción: INTEGRATED CIRCUIT

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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