FCD3400N80Z

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Especificaciones

Número de pieza

FCD3400N80Z
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCD3400N80Z.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

400pF @ 100V
Tensión - Desglose

DPAK
VGS (th) (Max) @Id

3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

SuperFET® II
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

2A (Tc)
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FCD3400N80ZTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Número de pieza del fabricante

FCD3400N80Z
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.6nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5V @ 200µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

800V
relación de capacidades

32W (Tc)

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FCD2250N80Z

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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