FCD5N60TF

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Especificaciones

Número de pieza

FCD5N60TF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCD5N60TF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

SuperFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

950 mOhm @ 2.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

54W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FCD5N60TFTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 4.6A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Tc)
Número de pieza base

FCD5N60

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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Los siguientes son productos relacionados con "FCD5N60TF".

FCD620N60ZF

Descripción: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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