SQJ204EP-T1_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQJ204EP-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQJ204EP-T1_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max

27W (Tc), 48W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres

SQJ204EP-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

47 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc), 60A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "SQJ204EP-T1_GE3".

SQJ416EP-T1_GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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