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3288617Imagen SQJ200EP-T1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ200EP-T1_GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SQJ200EP-T1_GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SQJ200EP-T1_GE3.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 16A, 10V
  • Potencia - Max
    27W, 48W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Otros nombres
    SQJ200EP-T1_GE3CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    975pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    20A, 60A

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