SIZF906ADT-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIZF906ADT-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET DUAL N-CHAN 30V
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIZF906ADT-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-PowerPair® (6x5)
Serie

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @Id, Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

SIZF906ADT-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

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SIZ904DT-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIZF906ADT-T1-GE3

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