SIZ998DT-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIZ998DT-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIZ998DT-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-PowerPair®
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Potencia - Max

20.2W, 32.9W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

SIZ998DT-T1-GE3-ND
SIZ998DT-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc), 60A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "SIZ998DT-T1-GE3".

SIZ916DT-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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