SIR692DP-T1-RE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIR692DP-T1-RE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIR692DP-T1-RE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

ThunderFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

63 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

104W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Otros nombres

SIR692DP-T1-RE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1405pF @ 125V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 7.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24.2A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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