SIR664DP-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIR664DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIR664DP-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 20A, 10V
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Otros nombres

SIR664DP-T1-GE3TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 60A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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SIR646DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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