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SIHG11N80E-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHG11N80E-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIHG11N80E-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247AC
Serie

E
RDS (Max) @Id, Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

179W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

88nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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SIHG15N60E-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIHG11N80E-GE3

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