SIHFB20N50K-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHFB20N50K-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIHFB20N50K-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

250 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

280W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2870pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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SIHFR1N60A-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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