SIB900EDK-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIB900EDK-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIB900EDK-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-75-6L Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Potencia - Max

3.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-75-6L Dual
Otros nombres

SIB900EDK-T1-GE3TR
SIB900EDKT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A
Número de pieza base

SIB900

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SIB912DK-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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