SIB419DK-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIB419DK-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIB419DK-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-75-6L Single
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 5.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.45W (Ta), 13.1W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-75-6L
Otros nombres

SIB419DK-T1-GE3TR
SIB419DKT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

562pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.82nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 9A (Tc) 2.45W (Ta), 13.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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SIB412DK-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SIB419DK-T1-GE3

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