SI6925ADQ-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI6925ADQ-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI6925ADQ-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.8V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-TSSOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Potencia - Max

800mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

SI6925ADQ-T1-E3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A
Número de pieza base

SI6925

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SI6562CDQ-T1-GE3

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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