SI1330EDL-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1330EDL-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1330EDL-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-3
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 Ohm @ 250mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

280mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

SI1330EDL-T1-GE3TR
SI1330EDLT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

240mA (Ta)

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SI1400DL-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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