SI1012R-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1012R-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1012R-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-75A
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

700 mOhm @ 600mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-75A
Otros nombres

SI1012R-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

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SI1011X-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 12V SC-89

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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