SI1012-TP

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Especificaciones

Número de pieza

SI1012-TP
Fabricante / Marca

Micro Commercial Components (MCC)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1012-TP.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-523
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

850 mOhm @ 500mA, 2.5V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-523
Otros nombres

SI1012-TPMSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

22 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

750nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 500mA (Tc) 150mW (Tc) Surface Mount SOT-523
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "SI1012-TP".

SI1012-A-GMR

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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