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4627776Imagen DMT6005LPS-13Diodes Incorporated

DMT6005LPS-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMT6005LPS-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMT6005LPS-13.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerDI5060-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 50A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.6W (Ta), 125W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    DMT6005LPS-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2962pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    47.1nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 17.9A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    17.9A (Ta), 100A (Tc)

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DMT6007LFG-13

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Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
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DMT6009LFG-13

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Fabricantes: Diodes Incorporated
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DMT6008LFG-13

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
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DMT4P22K-F

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Descripción: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

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DMT6004SCT

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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
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DMT6009LK3-13

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Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
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DMT6002LPS-13

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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMT4P22K

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Descripción: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles
RFQ
DMT6008LFG-7

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMT6007LFG-7

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Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Fabricantes: Diodes Incorporated
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DMT6005LSS-13

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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
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DMT6009LCT

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Descripción: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
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DMT5015LFDF-13

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Descripción: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
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DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Descripción: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
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