DMT5015LFDF-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMT5015LFDF-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMT5015LFDF-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-UDFN2020 (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

820mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

DMT5015LFDF-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

902.7pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A (Ta)

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DMT4005SCT

Descripción: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated

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