DMP57D5UFB-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMP57D5UFB-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP57D5UFB-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-DFN1006 (1.0x0.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6 Ohm @ 100mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

425mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-UFDFN
Otros nombres

DMP57D5UFB-7-ND
DMP57D5UFB-7DITR
DMP57D5UFB7
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

29pF @ 4V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

P-Channel 50V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "DMP57D5UFB-7".

DMP45H4D9HJ3

Descripción: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated

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