DMP45H4D9HJ3

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Especificaciones

Número de pieza

DMP45H4D9HJ3
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP45H4D9HJ3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
La disipación de energía (máximo)

104W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3, IPak, Short Leads
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

22 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

547pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13.7nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

450V
Descripción detallada

P-Channel 450V 4.6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Tc)

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DMP58D0LFB-7B

Descripción: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

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